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IT之家 7 月 16 日音讯，据 Sammobile 报导，三星副总裁 Younggwan Ko 最近正在韩国水本举止的一次研讨会上默示，跟着存储半导体变得更壮大，封拆技术必须取存储半导体一起展开。将 MSAP 工艺使用于其 DDR6 内存芯片将允许三星制造具有更精密电路的芯片。

另据 The Elec 报告称，三星的折做对手曾经将 MSAP 封拆技术用于 DDR5 内存，而三星正正在勤勉将那种封拆技术用于 DDR6。

传统的封拆办法只把要造成电路图案的区域停行涂覆，而将其余区域蚀刻掉。但正在 MSAP 封拆中，除了电路之外的区域都颠终涂层办理，而空皂区域则停行了电镀，从而可以真现更精密的电路。

IT之家理解到，三星于原周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，报导称，该公司处于 DDR6 开发的晚期阶段，依据去年的一份报告，其 DDR6 设想可能会正在 2024 年完成。

或许 DDR6 的速度是 DDR5 的两倍，内存通道数也是 DDR5 的两倍。DDR6（JEDEC）可以真现约莫 12800Mbps 的传输速率，或撑持超频到 17000Mbps。

目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高达 7200 Mbps 的传输速度，果此 DDR6 将进步 0.7 倍，超频下将进步 1.36 倍。